• RoHS ha approvato la guardia Ring For Overvoltage Protection del diodo Schottky
RoHS ha approvato la guardia Ring For Overvoltage Protection del diodo Schottky

RoHS ha approvato la guardia Ring For Overvoltage Protection del diodo Schottky

Dettagli:

Luogo di origine: Dongguan Cina
Marca: Uchi
Certificazione: CE / RoHS / ISO9001 / UL
Numero di modello: MBR20150

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: negoziato
Prezzo: Negotiation
Imballaggi particolari: Pacchetto/negoziato dell'esportazione
Tempi di consegna: negoziato
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 2000000 al mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tipo: Diodo Schottky Caratteristiche: Prodotto di RoHS
Tipo del pacchetto: Attraverso il foro Max. Forward Current: 30A, 30A
Tensione di andata massima: 0.9V, 0.9V Applicazioni: Alimentazione elettrica ad alta frequenza del commutatore
Evidenziare:

Guardia Ring Schottky Diode

,

Diodo Schottky di protezione contro le sovratensioni

,

SBD tramite il diodo del foro

Descrizione di prodotto

Anello di protezione per il diodo Schottky di protezione da sovratensione con RoHS
 

Vantaggio
 

SBD presenta i vantaggi dell'elevata frequenza di commutazione e della bassa tensione diretta, ma la sua tensione di rottura inversa è relativamente bassa, per lo più non superiore a 60 V, e la massima è solo di circa 100 V, il che limita il suo campo di applicazione.Come i diodi a ruota libera dei dispositivi di commutazione dell'alimentazione nei circuiti di alimentazione a commutazione (SMPS) e di correzione del fattore di potenza (PFC), diodi raddrizzatori ad alta frequenza superiori a 100 V per il secondario del trasformatore, diodi ad alta velocità di 600 V ~ 1,2 kV nei circuiti del soppressore RCD e Per i diodi da 600 V utilizzati nello step-up PFC, vengono utilizzati solo diodi epitassiali a recupero rapido (FRED) e diodi a recupero ultraveloce (UFRD).Anche il tempo di recupero inverso Trr di UFRD è superiore a 20 ns, il che non può soddisfare le esigenze di SMPS da 1 MHz a 3 MHz in campi come le stazioni spaziali.Anche per un SMPS con commutazione forzata a 100kHz, a causa della grande perdita di conduzione e perdita di commutazione dell'UFRD, la temperatura del case è elevata ed è necessario un grande dissipatore di calore, che aumenta le dimensioni e il peso dell'SMPS, che non soddisfa requisiti di miniaturizzazione e assottigliamento.andamento dello sviluppo.Pertanto, lo sviluppo di SBD ad alta tensione sopra i 100 V è sempre stato un argomento di ricerca e al centro dell'attenzione.Negli ultimi anni, SBD ha compiuto progressi rivoluzionari, sono stati elencati SBD ad alta tensione da 150 V e 200 V e anche l'SBD di oltre 1 kV realizzato con nuovi materiali è stato sviluppato con successo, iniettando così nuova vitalità e vitalità nella sua applicazione.
 

Caratteristiche
 

1. Struttura del catodo comune
2. Bassa perdita di potenza, alta efficienza
3. Elevata temperatura operativa della giunzione
4. Anello di protezione per protezione da sovratensione, alta affidabilità
5. Prodotto RoHS
 

Applicazioni
 

1. Interruttore ad alta frequenza Alimentazione

2. Diodi a ruota libera, applicazioni di protezione della polarità
 

CARATTERISTICHE PRINCIPALI
 

SE(AV)

10(2×5)A

VF(massimo)

0.7V (@Tj=125°C)

Tj

175 °C

VRRM

100 V

 

MESSAGGIO DEL PRODOTTO
 

Modello

Marcatura

Pacchetto

MBR10100

MBR10100

A-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

A-220

 

POTENZE ASSOLUTE (Tc=25°C)
 

Parametro

 

Simbolo

 

Valore

 

Unità

Tensione inversa di picco ripetitiva

VRRM

100

v

Massima tensione di blocco CC

VCC

100

v

Corrente diretta media

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)

 

per dispositivo

 

per diodo

SE(AV)

10 5

UN

 

Picco di corrente diretto non ripetitivo 8,3 ms singola semionda sinusoidale (JEDECMethod)

IFSM

120

UN

Temperatura massima di giunzione

Tj

175

°C

Intervallo di temperatura di conservazione

STTG

-40~+150

°C


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