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Resistenza a corrente forte di alta efficienza dei diodi Schottky di perdita di potere basso
Dettagli:
| Luogo di origine: | Dongguan Cina |
| Marca: | Uchi |
| Certificazione: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Numero di modello: | MBR30100 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | negoziato |
|---|---|
| Prezzo: | Negotiation |
| Imballaggi particolari: | Pacchetto/negoziato dell'esportazione |
| Tempi di consegna: | negoziato |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 2000000 al mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo: | Diodo Schottky | Caratteristiche: | Resistenza a corrente forte |
|---|---|---|---|
| Tipo del pacchetto: | Attraverso il foro | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Tensione di andata di massimo: | 0.9V, 0.9V | Applicazioni: | Diodi spingenti liberi |
| Evidenziare: | Diodi Schottky di perdita di potere basso,Diodi Schottky a corrente forte di resistenza,Diodi spingenti liberi di Schottky |
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Descrizione di prodotto
Diodi Schottky a bassa perdita di potenza Alta efficienza Elevata resistenza alla corrente
MBR30100.pdf
Il diodo Schottky è un diodo a riparazione rapida, che è un componente a semiconduttore veloce a consumo energetico.Le sue ovvie caratteristiche sono che il tempo di recupero inverso è molto breve (può essere anche di pochi nanosecondi) e la caduta di pressione in avanti è solo di circa 0,4 V.I diodi Schottky sono utilizzati principalmente come diodi raddrizzatori ad alta frequenza, bassa tensione e alta corrente, diodi a ruota libera e diodi di manutenzione.Sono anche efficacemente utilizzati come diodi raddrizzatori e piccoli diodi di rilevamento del segnale dati nei circuiti di potenza come le comunicazioni in fibra ottica.È comunemente usato nella rettifica dell'alimentazione a commutazione secondaria e nella rettifica dell'alimentazione ad alta tensione della TV a colori.Il diodo Schottky utilizza la giunzione metallo-semiconduttore come barriera Schottky per ottenere l'effettivo effetto di rettifica, che è diverso dalla giunzione PN formata dalla giunzione semiconduttore-semiconduttore nei diodi generali.Le caratteristiche della barriera Schottky riducono la corrente on-off del diodo Schottky e possono aumentare il tasso di conversione.I diodi Schottky hanno una tensione di funzionamento on-off estremamente bassa.Un diodo generale genererà una corrente di circa 0,7-1,7 ampere quando la corrente lo attraversa, ma la corrente del diodo Schottky è solo di 0,15-0,45 ampere, il che può migliorare l'efficienza del sistema.
Caratteristiche
1. Struttura del catodo comune
2. Bassa perdita di potenza, alta efficienza
3. Elevata temperatura operativa della giunzione
4. Anello di protezione per protezione da sovratensione, alta affidabilità
5. Prodotto RoHS
Applicazioni
1. Interruttore ad alta frequenza Alimentazione
2. Diodi a ruota libera, applicazioni di protezione della polarità
CARATTERISTICHE PRINCIPALI
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SE(AV) |
10(2×5)A |
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VF(massimo) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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Tj |
175 °C |
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VRRM |
100 V |
MESSAGGIO DEL PRODOTTO
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Modello |
Marcatura |
Pacchetto |
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MBR10100 |
MBR10100 |
A-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
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MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
A-220 |
POTENZE ASSOLUTE (Tc=25°C)
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Parametro |
Simbolo |
Valore |
Unità |
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Tensione inversa di picco ripetitiva |
VRRM |
100 |
v |
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Massima tensione di blocco CC |
VCC |
100 |
v |
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Corrente diretta media |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
per dispositivo
per diodo |
SE(AV) |
10 5 |
UN |
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Picco di corrente diretto non ripetitivo 8,3 ms singola semionda sinusoidale (JEDECMethod) |
IFSM |
120 |
UN |
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Temperatura massima di giunzione |
Tj |
175 |
°C |
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Intervallo di temperatura di conservazione |
STTG |
-40~+150 |
°C |
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