Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD

Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: Uchi
Certificazione: ROHS,REACH
Numero di modello: NTC QV1206H180KT, QV0806P241KT201

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1 bobina
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: Nastro in bobina
Tempi di consegna: 2 settimane
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 10 miliardo all'anno
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tipo: Termistore di NTC Caratteristiche: Ricoperto di strato di vetro, resistenza di excellenthumidity, dimensione miniatura dell'alto del re
Ampia gamma di temperatura di funzionamento:: -55℃~+125℃; Caratteristiche 2: Serie di B costante per varie applicazioni
Numero del pezzo.: QV1206H180KT, QV0806P241KT201 QV: Varistore del chip
Tolleranza di tensione del varistore: ±10% Varistore Voltage@1mA: 240V, 470V
Evidenziare:

CMS 1206 Chip Varistor a più strati

,

Impulso Chip Varistor a più strati dei MOVIMENTI

,

470V termistore del varistore NTC

Descrizione di prodotto

Impulso a più strati Chip Varistor dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD

La resistenza di SMD è piccola nella dimensione, senza cavi, adatti a montaggio di superficie ad alta densità, a resistenza eccellente di shock termico e di solderability e ad adatto a saldatura di vetro ed a saldatura di riflusso.

 

Varistore del chip per alta soppressione della punta di corrente

Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD 0

Tipo
QV  Chip Varistor

 

②(millimetro)

Dimensione esterna L×W

1206 3.2× 1,6
1210 3.2×2.5
1812 4.5×3.2
2220 5.7×5.0

 

③Codice di applicazione
H

Alta soppressione della punta di corrente

 

 

④ 

Tensione massima di funzionamento di CC

180 18V
650 65V

 

 

⑤ 

Tolleranza di tensione del varistore

K ±10%
L ±15%

 

 

⑥Imballaggio
T Nastro
B Massa

 

Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD 1

Varistore del chip per le Elettrico linee protezione

Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD 2

 

①Tipo
QV  Chip Varistor

 

③Codice di applicazione
P  Elettrico linee protezione

 

④Tensione @ 1mA del varistore
241 240V
471 470V

 

⑥Imballaggio
T Nastro
B Massa

 

 

②(millimetro)

Dimensione esterna L×W

0806 2.0×1.6
1206 3.2×1.6
1210 3.2×2.5
1812 4.5×3.2
2220 5.7×5.0

 

⑤Tolleranza di tensione del varistore
K ±10%

 

⑦GE massimo @8/20μsr corrente dell'Unione Sovietica
RA 2.5KV Ring Wave Voltage massimo
201 200A

 

 

 delle caratteristiche ricoperto di strato di vetro, resistenza di excellenthumidity, alta stabilità del reliabilityand
Dimensione miniatura, nessun cavo, solderability eccellente, ideale per l'installazione ad alta densità di SMT
Ampia gamma di temperatura di funzionamento: - 55℃~+125℃;
Serie di B costante per varie applicazioni
 
Applicazione
Equipmentsuch di telecomunicazione come il cellulare, il telefono dell'automobile, ecc.
Automazione delle attività d'ufficio quali la stampatrice, il fax, il proiettore, il desktop computer, ecc.
Prodotti elettronici di consumo quali il videoregistratore, il computer portatile, i dispositivi portabili, ecc.
Altri quali le alimentazioni elettriche, le batterie ricaricabili ed i caricatori, campi di illuminazione del LED, ecc.
 
Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD 3
 

 

Varistore del chip per alta soppressione della punta di corrente

Struttura e dimensioni

 

Tipo L (millimetro) W (millimetro) T (millimetro) a (millimetro)
0402 1.00±0.10 0.50±0. 10 0.50±0. 10 0.25±0. 15
0603 1.60±0.15 0.80±0. 15 0.80±0. 15 0.30±0.20
0805 2.00±0.20 1.25±0.20 0.85±0.20 0.50±0.30
1206 3.20±0.20 1.60±0.20 1,2 massimo. 0.50±0.25
1210 3.20±0.25 2.50±0.25 1,5 massimo. 0.50±0.25
1812 4.50±0.30 3.20±0.30 2,5 massimo. 0.25~1.0
2220 5.70±0.40

5.00±0.40

 

2,5 massimo. 0.25~1.0

 

Parte

 

Componente

Ceramica a semiconduttore di ZnO per

Chip Varistor

 

Elettrodo interno

(AG o AG-palladio)

 

Elettrodo terminale

(Ag/Ni/Sn tre strati)

 Tipo di SMD, adatto a rapporto di pressione eccellente di montaggio ad alta densità ed a forte tyi del capabil di

soppressione dell'onda di tensione

 Lity eccellente del solderab (placcatura dello Sn dei, del Ni)

Applicazioni

Usato per il sistema di sicurezza, SpA, elettronica automobilistica, strumento industriale, metri astuti, controllo e apparecchiature di misurazione, ecc.

 

Varistore del chip per le Elettrico linee protezione

Struttura e dimensioni

Strato a più strati di Chip Varistor Coated With Glass dell'impulso dei MOVIMENTI del CMS 1206 SMD 2

 
 Tipo L (millimetro) W (millimetro) T (millimetro) a (millimetro)
0604 0604 1.6±0.2 1.0±0.2 1.0±0.2
0805 2,0 ±0.2 1.25±0.2 1.25±0.2 0.50±0.30
0806 2.0±0.25 1.6±0.25 1.6±0.25 0.50±0.30
1206 3,2 ±0.3 1.6±0.3 1.6±0.3 0.50±0.30

 

 

 

 Parte

 

Componente

Ceramica a semiconduttore per

Chip Varistor

Elettrodo interno

(AG o AG-palladio)

Elettrodo terminale

(Ag/Ni/Sn tre strati)

Caratteristiche

 

Tipo di SMD adatto a rapporto di pressione eccellente di montaggio ad alta densità ed a forte tyi del capabil di

soppressione dell'onda di tensione

 Varistore ad alta tensione, adatto a circuito di CA

Applicazioni

Usato per l'alimentazione elettrica, interfaccia di rete, illuminazione del LED. Capace di sostituire parte del varistore al piombo.

 

 

Vedi prego la specificazione

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