 |
Varistore SMD con alta tensione inversa di picco per SDRAM DDR5 16Gb A-Die
Dettagli:
| Luogo di origine: | Dongguan, Guangdong, Cina |
| Marca: | UCHI |
| Certificazione: | SGS.MA.CTI.CQC |
| Numero di modello: | SDRAM A-Die DDR5 da 16 Gb |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 10000 pezzi |
|---|---|
| Prezzo: | Negoziabile |
| Imballaggi particolari: | Massa/nastro |
| Tempi di consegna: | 5-7 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T, Paypal, Western Union, grammo dei soldi |
| Capacità di alimentazione: | 5000,000,000PCS al mese |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Serie di produzione: | Varistore SMD | Corrente massima: | Varia (ad esempio, fino a diversi ampere) |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | Ossido di metallo | Assorbimento di energia: | Tipicamente da 0,1J a 10J |
| Applicazioni: | Protezione contro le sovratensioni nei circuiti elettronici | CC di valutazione di tensione: | 385V |
| Buon nome: | Varistore SMD 10D471K 470V 10% | Resistenza di energia: | Un 0.02J B 0.05J |
| Resistenza di isolamento: | Tipicamente >100 MΩ | terminale: | Supporto SMT speciale |
| Temperatura di conservazione: | -55 +125 | Varistor Voltage AC: | 175-385V |
| VARISTOR VOLTAGE: | 470 V+/-10% | ||
| Evidenziare: | Varistore SMD per SDRAM DDR5,Varistore ad alta tensione inversa di picco,Varistore SMD compatibile con A-Die |
||
Descrizione di prodotto
DDR5 16Gb A-Die SDRAM
1.1 Caratteristiche chiave
• Conforme alla norma JEDEC;
• Fornitura di corrente: VDD/VDDQ = 1,1 V (1,067 V (-3%) a 1,166 V (+6%));
• Fonte di alimentazione: VPP = 1,8 V (1,74 V (-3%) a 1,908 V (+6%));
• pacchetto standard JEDEC: FBGA a 82 sfere per x4/x8, FBGA a 102 sfere per x16;
• Configurazione dell'array:
• 32 banche ((8 gruppi bancari, 4 banche per ciascun gruppo bancario) per x4/x8;
• 16 banche ((4 gruppi bancari, 4 banche per ciascun gruppo bancario) per x16;
• Architettura di prefetch a 16 n-bit;
• Lungozza di scatto (BL): BL16, BC8 OTF, BL32 (facoltativo), BL32 OTF (facoltativo) sono supportati; • b. "tecnologia" per l'elaborazione di sistemi di misurazione e di misurazione;
• b. "tecnologia" per l'elaborazione e la distribuzione di dati, comprese le tecnologie per l'elaborazione e la distribuzione di dati;
L'indicatore di velocità deve indicare l'indicatore di velocità di rotazione (RTT) e l'indicatore di velocità di rotazione (RTT).
Lo stesso sistema di aggiornamento e tutti i sistemi di aggiornamento per la modalità di aggiornamento normale e per la modalità di aggiornamento di granulometria fine; • Il sistema di aggiornamento della granularità fine è in modalità 2x (0°C ≤ TCase ≤ 85°C), 4x (85°C ≤ TCase ≤ 95°C) per i tRFC più piccoli;
• b. "tecnologia" per l'elaborazione di sistemi di controllo di velocità;
• interfaccia POD ((Pseudo Open Drain) per l'input/output dei dati, l'input dei comandi e degli indirizzi;
• è supportata la modalità di prova di connettività (TEN);
• VREF interno per i dati, i comandi/indirizzi e la selezione del chip;
• CAI ((Inversione dell'indirizzo del comando);
• La modalità 1N/2N è supportata per i comandi;
• È supportato l'Equalizzatore di feedback decisionale (DFE) a 4 tocchi;
• Sono supportati i test di errore di loopback e di bit;
• supporto hPPR/sPPR; supporto sPPR Do/undo/Lock;
• Moduli di addestramento:
• Formazione VrefDQ / VrefCA / VrefCS
• Modalità di lettura
• Modalità di formazione CA
• Modalità di addestramento CS
• Formazione VREFDQ per pin
• Scrivere la modalità di formazione di livellamento
• Adattatore del ciclo di lavoro (DCA) per Read - Global
• Per Pin DCA ((Regulatore del ciclo di lavoro) per lettura - Per Pin ((DQ) • per indirizzabilità della DRAM (PDA);
• modalità di risparmio energetico massimo (MPSM);
• "Comando multiuso" (MPC);
• Ripristino asynchrone per l'accensione;
Temperatura della cassa di funzionamento: 0°C ≤ TCase ≤ 95°C;
• supporto per il modo di aggiornamento automatico e di aggiornamento automatico;
• Periodo medio di aggiornamento:
• 3.9 μs/32ms, cicli di 8K a 0°C ≤ TCase ≤ 85°C; • 1.95 μs/16ms, cicli di 8K a 85°C < TCase ≤ 95°C;
b. "tecnologia" per l'elaborazione, la distribuzione e l'utilizzo di dispositivi per l'elaborazione, la distribuzione e la distribuzione di dati;
• Il codice di ridondanza ciclica (CRC) è supportato per l'integrità dei dati di lettura/scrittura; • ECC in fase di lavorazione;
• Trasparenza e scrub degli errori ECC;
• MBIST / mPPR;
• Non è supportata la modalità di abbassamento delle marce;
• modalità di prova del driver di uscita del pacchetto;
• Non è supportato il sistema di aggiornamento automatico di serie parziale (PASR);
• RoHS conforme
Nota:
Le funzionalità descritte e le specifiche di tempistica incluse nella presente scheda dati sono per la modalità di funzionamento DLL Enabled (operazione normale), salvo diversa indicazione specifica.
Specifiche del pacchetto DDR5 SDRAM
In questo capitolo verranno presentate principalmente le dimensioni del pacchetto e il volume in configurazioni x4/x8/x16 che possono aiutare a adattare il dispositivo.
Dimensione del pacchetto DDR5 SDRAM a pagina 7
• DDR5 SDRAM x8 Ballout Utilizzando MO-210-AN Descrizione della pagina 9
Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
