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SOT-89 D882 NPN Transistor elettronici di plastica
Dettagli:
| Luogo di origine: | Dongguan Cina |
| Marca: | UCHI |
| Certificazione: | Completed |
| Numero di modello: | D882 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1000 PCS |
|---|---|
| Prezzo: | Negoziabile |
| Imballaggi particolari: | Norme |
| Tempi di consegna: | 3weeks |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union |
| Capacità di alimentazione: | 5000 pezzi |
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Informazioni dettagliate |
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| Evidenziare: | Transistori elettronici NPN,Transistori elettronici di plastica incapsulati,Transistori elettronici di dissipazione di potenza |
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|---|---|---|---|
Descrizione di prodotto
SOT-89 D882 Transistor in plastica incapsulati
Caratteristiche
Dissipazione di potenza
MISSIONE RATINGS (T)a)= 25°C se non diversamente nota)
| Il simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| V.CBO | Tensione di base del collettore | 40 | V. |
| V.Amministratore delegato | Voltaggio collettore-emettitore | 30 | V. |
| V.EBO | Tensione di base dell'emittente | 6 | V. |
| Io...C | Corrente del collettore -continua | 3 | A |
| PC | Dissipazione del potere del collettore | 0.5 | W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | °C |
| Tstg | Temperatura di conservazione | -55~150 | °C |
CARACTERISTICHE ELETTRICHE ((Ta=25°C, salvo diversa indicazione)
| Parametro | Il simbolo | Condizioni di prova | Min. | Tipologia | Max. | Unità |
| Tensione di rottura della base del collettore | V(BR)CBO | IC = 100μA, IE=0 | 40 | V. | ||
| Tensione di rottura collettore-emettitore | V ((BR) CEO | IC = 10mA, IB = 0 | 30 | V. | ||
| Tensione di rottura base-emittente | V ((BR) EBO | IE= 100μA, IC=0 | 6 | V. | ||
| Corrente di taglio del collettore | ICBO | VCB = 40V, IE = 0 | 1 | μA | ||
| Corrente di taglio del collettore | ICEO | VCE = 30V, IB = 0 | 10 | μA | ||
| Corrente di taglio dell'emittente | IEBO | VEB = 6V, IC = 0 | 1 | μA | ||
| Corrente continua guadagno | hFE(1) | VCE=2V, IC=1A | 60 | 400 | ||
| hFE(2) | VCE = 2V, IC = 100mA | 32 | ||||
| Tensione di saturazione collettore-emettitore | VCE (sat) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0.5 | V. | ||
| Tensione di saturazione dell'emissione di base | VBE (sat) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1.5 | V. | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz | 50 | MHz |
Classificazione hFE(1)
| Grado | R | O | Y | GR |
| Distanza | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Tipico Caratteristiche
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